但是因为3nm之后的工艺更难控制FinFET的漏电，所以未来一定是属于GAA和Forksheet的，不过既然GAAFET和Forksheet FET更先进，为啥华为还要把他们跟FinFET做进一个集成电路里呢？

关于mate60pro以及麒麟9000s的信息基本上已经给讲完了，为了不跟同行们重复讲一样的东西，稍微换了个思路——绕开了处理器本身，看看华为在造芯片这块还有没有什么料可以挖，结果发现还真有！

1、华为公布半导体封装龙头股

华为的初步预估是每片惊人至少可以节省20美金，按照之前Mate系列出货量以百万计的情况来看，假如华为真的要开始自己造芯片了，那么实装这项专利就能给华为省下一笔相当可观的成本，同行们想要借鉴，还得给华为交专利费。

2、华为公布半导体封装

今天我们聊的这些东西都是华为公开的设计专利，虽然看着很厉害，但很大概率还没有应用到实际的生产步骤上，因为光有想法不行，还是有很多具体的配套设备上的问题需要解决的，不过我发现了一个小细节，不知道有没有小伙伴观察到，虽然华为这批专利上个月才解禁，但他们真正的提交日期是2021年2月！

3、华为公布半导体封装新专利

打个不太恰当的比方，FinFET的首先半导体层对应了GAAFET的第三半导体层，不严谨地说，这么一对应就能让它们被同时制作，利用这个方法，华为就可以不用像前面讲的那样先做这个再做那个，这样就大幅简化了电路的制作过程，减少工期和成本，妙啊~。

4、华为公布半导体封装专利外交部

而且问了一下搞半导体设计的朋友，发现除了咱们前面提的这些内部的光刻问题，外部的电压调控也是需要攻克的，毕竟两种晶体管结构的特性不同，驱动电压也不同，驱动电路的设计也需要做额外的调整，看来华为的这项专利想要真正落地，需要克服很多我们难以想象的困难。

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